Разработана память LPDDR5X со скоростью 10 000 Мбит/сек
Innosilicon также завершила проверку серийного производства своей DRAM LPDDR5X с усовершенствованными узлами, такими как 5/7 нм и 12/14 нм. Это означает, что микросхемы высокоскоростной памяти теперь могут вступить в фазу массового производства.
Безусловно, скорость 10 Гбит/сек — это определенно прорыв в скоростях DRAM, и мы можем ожидать появления первых устройств с такой высокоскоростной памятью уже в следующем году. Innosilicon также предлагает ряд других решений DRAM, таких как GDDR6/X, HBM3/2E и LPDDR5/X/4/4X (DDR5/DDR4).
Вероятно, в ближайшем будущем эта скорость будет если не стандартом, то хотя бы тем, к чему стремятся все крупные производители электроники.
Безусловно, скорость 10 Гбит/сек — это определенно прорыв в скоростях DRAM, и мы можем ожидать появления первых устройств с такой высокоскоростной памятью уже в следующем году. Innosilicon также предлагает ряд других решений DRAM, таких как GDDR6/X, HBM3/2E и LPDDR5/X/4/4X (DDR5/DDR4).
Вероятно, в ближайшем будущем эта скорость будет если не стандартом, то хотя бы тем, к чему стремятся все крупные производители электроники.